Heraeus

heraeus公司提供全面的传感元件，microheaters选择和定制传感器。通过复杂的多层平台芯片采用smd芯片，印刷电路板和dbs传感器开始。

技术专长，结合几十年的经验使heraeus公司到现在至3微米的光刻工艺实现铂结构。作为一个比较：一个人的头发直径50-100微米！pt温度传感器

薄膜技术的铂温度传感器也可以被描述为一个两维的微观变化，传统的绕线式。线的长度和直径，通过在基板上非常精细的河曲结构所取代。制造过程主要是自动化的，因此采用Zui新的技术，如被发现，例如，在硅芯片的生产。

铂微换热器（基本流量计）

铂微换热器是专为汽车行业的应用，如空气流量计，低流量应用在暖通空调或医学分析设备。其特点包括非常快的响应时间，良好的长期稳定和非常高的工作温度能力。

pt平台芯片

是专为激烈的传感器安装在传感器平台。传感器使用热和温度测量电阻，可以用适当的控制，保持在一个恒定的温度或设定温度周期可以保持。铂薄膜的热量和温度测量电阻的结构被应用到陶瓷基板和中空玻璃层覆盖。位于玻璃层是在金电极厚膜技术，到测量组件可以保税，或厚或薄膜技术与应用。电极的大小，让敏感层或硅芯片的应用Zui多样化的应用。扁线作为引线，引线长度可达170毫米允许。扁线设计，提供稳定，不能与圆截面导线实现。

注：传感器平台是定制设计的部分客户要求的规格。

一般资料

在生产的第一阶段，正是掺杂铂金，是在真空状态下蒸镀到al2o3衬底。下一步是极其精细的的河曲结构或电极结构光刻转移到洁净室条件下的空白铂基板（1000级）。经过彻底蚀刻多余的铂，完成传感元件被制作成各种版本。

一般技术信息

在下面更详细地介绍了一些影响其运作过程中的铂薄膜传感器的参数：

测量电流和自加热

铂薄膜传感器的电流供应。所产生的温度测量误差：

δt= * s

与p，功率损耗= 2 r

和s，自热系数在k / mw。

自热系数指定数据表中的个别产品。自热是依赖于铂薄膜传感器和周围介质之间的热接触。如果周围环境的热量传递到Zui大化，可用于高测量电流。铂薄膜传感器测量电流没有设置下限。他们的依赖，在很大的程度上应用。

我们建议：

100欧姆Zui大。1 ma的

500欧姆Zui大。0,7毫安

1000欧姆Zui大。0,3毫安

2000欧姆：Zui大。0,25毫安

10000欧姆Zui大。0,1毫安

热响应时间

热响应时间是由铂薄膜传感器的要求作出反应，一步一步由温度变化，在电阻变化与对应的温度变化的一定百分比的时间。din en 60751标准建议的使用时间为50％和90％的变化，t0.5和t0.9在数据表显示为0.4或2.0米/秒的水和空气的流动。可以转化为其他媒体和速度进行援助的vdi / vde 3522手册。

热电效应

铂薄膜传感器产生几乎没有电动功率。

振动和冲击

铂薄膜传感器是固态元件，因此是具有极强的抗震动和冲击。决定性的因素是通常的安装方法。测试以及安装thinfilm铂薄膜传感器显示：

耐振动：40?超过10赫兹的范围高达2 khz

抗冲击：100克，8 ms半正弦

小学传感器的通用电气参数

电感值：<1μh

容量：1至6 pf的

绝缘：> 10兆欧在20°c间

在500°c> 1兆欧

高电压强度：> 1000伏在